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第659章 光刻机里的DPP方案（第1页）

“目前我们的库存勉强能够对付一年，如果一年后还没有完全寻找到国产替代的话，就要面临停产，又或者冒着良率下降的风险，硬着头皮去做。”

沪上，华芯国际。

梁老忧心忡忡道：“芯片设计不是什么大问题，玄武EDA完成度很高，但无论如何设计出来的芯片也只是个PPT，最终还是要落地的。”

目前，国内芯片供应链在部份领域已实现突破，但几个关键环节仍依赖国外进口，尤其在高端芯片制造、核心设备和材料、特定芯片设计工具等方面存在显著短板。

陈平江的天元资本早期投资那些国产芯片产业链是有效果的，但仍然不足以颠覆多年的差距。

孟老也道：“目前国内的芯片自给率差不多40%，高端芯片完全依赖进口，现在三星和台积电已经成功量产出7纳米，我们追赶的脚步一刻也不能停下，幸好14纳米制造工艺突破有望，但更高的7纳米就玄乎了，光刻机始终是个绕不过去的坎儿。”

他话音一转，“不过采用多重曝光技术的话，应该可以通过DUV实现7纳米。”

好消息是长江存储和长鑫存储提前两年布局，所以DRAM和NAND闪存芯片不再需要通过三星和海力士进口。

坏消息是射频芯片和FPGA芯片仍然无法解决。

“射频芯片的国产替代方案是唯捷创芯的产品，但良率是个大问题。”

FPGA芯片说白了就是逻辑芯片，翻译过来叫做现场可编程门阵列。

FPGA广泛应用于通信基站和工业控制领域，但国内厂商如紫光同创、安路科技等尚处于技术追赶阶段，市场份额几乎被赛灵思和英特尔垄断。

虽然早就预料到突破的过程会非常难，但只有真正深入进去才知道有多难。

这就像是码农写代码，但凡哪里写的不对，就会导致最后程序跑不通。

半导体材料领域同样困难重重。

12英寸硅片主要依赖日本信越化学、SUMCO等企业，国产化率不足20%。

国产替代方案是沪硅产业和中环股份。

前者在去年实现12英寸硅片小规模量产，但仍处于技术验证和产能爬坡阶段；后者在8英寸硅片领域已实现稳定供应。

最惨的还要数光刻胶，尤其是ARF和EUV级别的光刻胶。

高端光刻胶几乎全部依赖日本企业（如TOK、JSR、信越化学），国产化率低于5%。

南大光电启动ArF光刻胶研发项目，但尚未量产；沪上新阳的KrF光刻胶处于验证阶段；晶瑞电材的gi线光刻胶已用于中低端芯片。

除此之外还有特殊气体、抛光材料、溅射靶材和先进封装材料。

陈平江之前培养出华特气体、安集科技、江丰电子和飞凯材料，这些都可以成为替代方案，但还是老问题。

纯度和稳定性不足，验证周期长！

当然了……

好消息也不是没有。

比如江丰电子的靶材市占率全球前五，成为中芯国际、三星核心供应商。

比如安集科技的CMP抛光液打破美日垄断，进入14nm产线。

比如南大光电的ArF光刻胶项目已经逐步量产。

梁老感慨道：“幸好你几年前有远见，先扶持了一批国产企业，否则我们面临的麻烦还要更多，不过我始终是有信心的。”

陈平江含蓄的笑了笑。

他从不担心国产芯片的未来。

即便是按照原本的时间线，到了24年国产成熟制成芯片也会迎来重大突破，出口销售额达到千亿美元。

一切所缺的不过是时间而已。

每个环节进步一点，汇合集合就是巨大的进步。

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